滨松HAMAMATSU S12023-10 硅 APD
详细参数
| 类型 | 近红外型 (低偏压操作) |
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| 受光面 | φ1 mm |
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| 封装 | 金属 |
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| 封装类别 | TO-18 |
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| 最大灵敏度波长(典型值) | 800 nm |
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| 灵敏度波长范围 | 400 至 1000 nm |
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| 感光灵敏度(典型值) | 0.5 A/W |
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| 暗电流(最大值) | 2 nA |
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| 截止频率(典型值) | 600 MHz |
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| 结电容(典型值) | 6 pF |
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| 击穿电压(典型值) | 150 V |
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| 击穿电压温度系数(典型值) | 0.65 V/°C |
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| 增益率(典型值) | 100 |
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| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明, 感光灵敏度:λ = 800 nm,M = 1 |
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光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
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