滨松HAMAMATSU S2384 硅 APD
详细参数
| 类型 | 近红外型 （低偏压操作） |
|---|---|
| 受光面 | φ3 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-5 |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 灵敏度波长范围 | 400 至 1000 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 10 nA |
| 截止频率（典型值） | 120 MHz |
| 结电容（典型值） | 40 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.65 V/°C |
| 增益率（典型值） | 60 |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = 800 nm，M = 1 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com
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