滨松HAMAMATSU P15742-016DS InAsSb 光伏元件阵列
详细参数
| 元件尺寸/元件 | 0.45×0.7 mm |
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| 像元数 | 16 |
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| 封装 | 16 针陶瓷 DIP |
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| 制冷 | 非冷却型 |
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| 截止波长(典型值) | 5.3 μm |
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| 最大灵敏度波长(典型值) | 4.1 μm |
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| 感光灵敏度(典型值) | 0.0065 A/W |
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| 检测率 D*(典型值) | 1×109 cm・Hz1/2/W |
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| 噪声等效功率(典型值) | 5.6×10-11 W/Hz1/2 |
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| 上升时间(典型值) | 15 ns |
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| 结电容(典型值) | 40 pF |
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| 测量条件 | Ta = 25°C,检测率 D*:(λp,1200,1),结电容:VR = 0 V,f = 1 MHz |
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光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
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